【プレスリリース】発表日:2026年03月05日STマイクロエレクトロニクス、車載用モジュールの小型化と安全性を追求する高速の絶縁型ゲート・ドライバを発表絶縁要求、沿面距離/空間距離の仕様に対応した標準パッケージとワイド・パッケージの2品種*2026年2月17日にジュネーブ（スイス）で発表されたプレスリリースの抄訳です。STマイクロエレクトロニクス（NYSE : STM、以下ST）は ...

「ゲートドライバ」に関する情報が集まったページです。 MOSFET、IGBTならびにSiC（炭化ケイ素）トランジスタは高電力／高電圧アプリケーションでよく使用されるが、これらのゲートははるかに低い電圧で駆動されている。ゲート入力電圧の範囲が異なる ...

SiCデバイスのノイズ低減・損失低減を実現する次世代ゲートドライバー技術を開発 当社は、当社グループが強みを有するパワー半導体分野において、次世代デバイスであるSiC(炭化ケイ素)デバイスの性能を最大限引き出す2つの次世代ゲートドライバー技術を ...

東芝デバイス&ストレージは、車載ブラシ付きDCモーターを制御するブリッジ回路向けゲートドライバー「TB9104FTG」のエンジニアリングサンプル提供を開始したと発表した。 新製品は、パワーバックドアやパワースライドドア、パワーシートなどのボディー系 ...

グローバル市場調査レポート出版社であるGlobaI Info Researchがリリースされました「ステッピングモーターゲートドライバーの世界市場2025年：メーカー、地域別、タイプ、用途別、2031年までの予測」レポートには、世界市場、主要地域、主要国における ...

1種類目は、SiCパワー半導体の高効率・高速スイッチングの特性を最大限に引き出しつつノイズの発生を抑えるための技術である「フィードバック型アクティブゲートドライバー」。独自のフィードバック機能を搭載したゲートドライバーで最適な波形を生成 ...

東芝は、次世代パワー半導体のSiC(炭化ケイ素)デバイスの性能を最大限引き出す2つの次世代ゲートドライバー技術を開発したと発表した。本技術により、EV用インバーターやデータセンター向け電源システムの高効率化・小型化を実現する。 SiCデバイスは ...

当社は、当社グループが強みを有するパワー半導体分野において、次世代デバイスであるSiC(炭化ケイ素)デバイスの性能を最大限引き出す2つの次世代ゲートドライバー技術を開発しました。本技術により、SiCデバイスの高効率化・小型化および信頼性向上を ...