SiCパワーモジュールにおける並列接続チップ間の寄生発振を 高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワー ...

エレクトロニクス産業では、パワー半導体モジュールの信頼性評価の迅速化のニーズがある。そのためには、従来とは異なった観点の信頼性評価に関するまったく新しい仕組みが必要である。これらの迅速で精度の高い信頼性評価を実現するため、現在行わ ...

Intelによる「高抵抗-Si基板上へのGaNチップレットの集積」 Paper #36.2, “GaN Chiplet Technology Based on 300mm GaN-on-Silicon(300mm GaN-on-Siliconに基づくGaNチップレット技術)” H. W. Then et al, Intel Intelの研究者らは、300mm GaN-on-Silicon MOS ...

レゾナックは1月17日、自動車の電動化に欠かせない「パワー半導体」と、これをパッケージした「パワーモジュール」の材料開発を強化するため、栃木・小山事業所内に「パワーモジュールインテグレーションセンター」（PMiC）を本格始動させると発表した。

インフィニオン、シミュレーションプラットフォーム「IPOSIM」に自動ライフタイム測定機能を追加、最適な部品選定をよりシンプルに このリリースは、独インフィニオンテクノロジーズ社が3月11日付けで発表した資料の日本語訳です。原文(英語版、ドイツ ...

ミネベアミツミ子会社のミネベアパワーデバイスとサンケン電気は、エアコンや洗濯機などの民生品および産業機器向けのインテリジェントパワーモジュール（IPM）市場において、生産協業と共同製品開発に関する技術提携に合意した。脱炭 […] ...

さらに大電流定格化によるスイッチング動作時のサージ電圧増大に対応するため、SiCデバイスの配置や内部パターンの最適化を図ることで、パッケージ内部のインダクタンスを従来品比でおよそ半減としたパッケージを開発。これにより300A定格の製品化を実現したとする。 なお、同モジュール ...

パワーモジュールの材料を革新させる 評価・開発拠点が本格始動 〜社外との共創でEVなどの電動化へ貢献〜 株式会社レゾナック（社長:高橋 秀仁）は、自動車の電動化に欠かせない「パワー半導体」とこれをパッケージした「パワーモジュール」の材料開発 ...

最先端パワー半導体の開発を行う京大発ベンチャーの株式会社FLOSFIA(本社：京都市西京区、代表取締役社長：人羅俊実、以下「FLOSFIA」)は、小型・薄型・低電力損失で金型レスの新型パワーモジュール（注)の開発を完了しました。 最先端パワー半導体の開発 ...

Kenneth Researchは調査レポート「グローバルインテリジェントパワーモジュール市場：世界的な需要の分析及び機会展望2030年」2021年09月 08日 に発刊しました。レポートは、企業概要 、製品種類、販売量 、市場規模 、メーカ概要 、市場シェア 、などが含まれ ...

ミネベアミツミの連結子会社であるミネベアパワーデバイスとサンケン電気は、民生品および産業品向けインテリジェントパワーモジュール市場において、後工程の生産協業および共同製品開発に関する技術提携を行うことで合意した。 脱炭素社会への貢献 ...