2018年8月に開催されたフラッシュメモリの展示会・講演会イベント「Flash Memory Summit」で、NANDフラッシュメモリのメーカー各社が次世代の製品やアーキテクチャのロードマップを明らかにした。 予想された通り、Intel、Micron Technology、SK Hynix、東芝メモリの各 ...

フラッシュメモリは、データを書き込んだり読み出したりすることができる記憶装置の一種です。1987年に東芝によって開発されました。 電源を切っても記憶を失わないという特徴がある一方で、データの消去を一瞬で行えるという特徴も持っていること ...

コンピューターの記憶媒体として、ハードディスクが台頭していた時代が終わろうとしています。毎日使っているスマートフォンはもちろんのこと、ノートPCの記憶媒体は既にハードディスクからメモリをベースにしたシステムに移行しています。それと ...

Micron Technologyが次世代(第4世代)の3D NANDフラッシュの開発では、現行世代(第3世代)まで採用していた浮遊ゲート(フローティングゲート)方式のメモリセルではなく、電荷捕獲(チャージトラップ)方式のメモリセルを採用することを明らかにした。2018年8月7日に ...

キオクシアとWestern Digital(以降はWDと表記)は、共同で開発した超高速3D NANDフラッシュメモリ技術「XL-FLASH」の概要を半導体回路技術の国際学会ISSCC 2020(2020年2月16日～20日に米国サンフランシスコで開催)で2020年2月18日に公表した(講演番号13.5)。 3D NANDフラッシュ ...

高速アクセスだからこそ気になる耐久性。対策は？ NAND型フラッシュメモリはデータを書き込む際に、まず既存のデータを ...

世界初、QLC技術を用いた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH(TM)」の開発について 当社は、世界で初めて（注1）4ビット/セル ...

世界初、TSV技術を適用した3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH(TM)」の開発について 当社は、世界で初めて（注1）TSV（注2 ...

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「日本のフラッシュメモリ市場レポート：種類別、エンドユーザー別、地域別2026-2034年」（IMARC Group）の ...